据最新消息，三星电子将于今年底启动下代 HBM4 内存的流片，为明年底的量产做足准备。这一举措标志着三星电子在内存领域的又一重要布局。
韩媒 TheElec 当地时间本月 16 日报道称，考虑到从流片到测试产品的推出还需要 3 到 4 个月的时间，三星电子的 HBM4 12H 样品预计最早明年初亮相。此后，三星电子将对样品进行功能验证并改进设计和工艺，改进后的样品将向主要客户出样。
三星电子在 HBM 市场上一直占据重要地位，此次在 HBM4 内存上的动作备受关注。据悉，三星电子将在 HBM4 内存上采用 1cnm 制程 DRAM 颗粒和 4nm 制程逻辑芯片，以提升产品能效表现，也方便在逻辑芯片中引入更丰富功能支持。
这一决定对其在 HBM 市场上的主要竞争对手 SK 海力士产生了影响。SK 海力士 HBM 开发团队的一位匿名人士称，SK 海力士原计划在 HBM4 中使用 1b nm 的 DRAM 颗粒，但在得知三星电子的 HBM4 方案后，SK 海力士内部正就其 HBM4 产品是否转向 1c nm DRAM 进行讨论。而在 HBM4 内存的逻辑芯片部分，SK 海力士预计将使用台积电提供的 5nm 或 12nm 方案。
三星电子一直致力于在内存技术上不断创新和突破，此次 HBM4 内存的流片启动，无疑将为行业带来新的发展动力和竞争格局。我们期待着三星电子在明年底能够成功实现 HBM4 内存的量产，为高性能计算和人工智能等领域提供更强大的支持。
